Samsung привлечёт TSMC к выпуску памяти NVHBM для ускорителей Nvidia — СМИ

Samsung Electronics и TSMC совместно разрабатывают базовый кристалл заказной памяти NVHBM для Nvidia, сообщает Seoul Economic Daily. Первые кристаллы предполагается выпускать по 3-нм техпроцессу TSMC, одновременно Samsung готовит собственный вариант на базе технологии SF2.

Samsung Electronics и тайваньский контрактный производитель микросхем TSMC совместно с Nvidia разрабатывают базовый кристалл для заказной памяти NVHBM. Об этом сообщает Seoul Economic Daily со ссылкой на отраслевые источники. Компании официально не объявляли о сотрудничестве.

NVHBM — разработанная для Nvidia версия памяти с высокой пропускной способностью (HBM). В её базовый кристалл переносится контроллер, который в обычной архитектуре размещается в графическом процессоре. По данным издания, это освобождает место в GPU для дополнительных вычислительных блоков, а уменьшение блока физического интерфейса на 60% позволяет повысить пропускную способность памяти до 30% и сократить энергопотребление на 15% относительно HBM4E.

Nvidia рассчитывает использовать для базовых кристаллов 3-нм техпроцесс TSMC. Отраслевые оценки, приведённые Seoul Economic Daily, указывают на выход годных изделий свыше 90% у TSMC, тогда как для 2-нм процесса Samsung SF2 показатель оценивается примерно в 60%. Samsung при этом проверяет возможность в дальнейшем выпускать такие кристаллы самостоятельно по технологии SF2.

Привлечение TSMC также должно увеличить доступные производственные мощности. По прогнозу UBS, в 2027 году спрос на HBM вырастет на 91%, а объём поставок окажется примерно на 10% ниже потребностей рынка.