Новые разделы!
ИИ, квантовые вычисления и много других интересных тем
11.10.2026
Китайский производитель памяти CXMT разрабатывает серверные модули DDR5 RDIMM с ячейками 4F², вертикальными транзисторами VSG и гибридным соединением пластин. Компания рассчитывает представить продукт до конца 2026 года, но его характеристики и сроки массового производства пока не раскрыты.
Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) рассчитывает до конца 2026 года представить новое поколение серверных модулей DDR5 RDIMM. О планах компании её президент Цао Каньюй сообщил на четвёртой Конференции по интегральным микросхемам и чиплетам, пишет Beijing News.
В основе разработки лежит архитектура ячеек DRAM 4F². В этом обозначении F соответствует минимальному размеру элемента структуры: ячейка занимает площадь четырёх таких квадратов вместо шести у распространённой архитектуры 6F². Это позволяет повысить плотность размещения данных.
CXMT также применяет собственный транзистор VSG (Vertical Surrounded Gate) с вертикальным каналом, окружённым затвором. По заявлению компании, такая конструкция улучшает управление током и помогает уменьшить утечки и влияние короткоканальных эффектов. В продукте также предполагается использовать гибридное соединение пластин, позволяющее раздельно оптимизировать массив DRAM и периферийную логику.
Первым продуктом на новой архитектуре станет DDR5 RDIMM — регистровый модуль памяти для серверов и систем ЦОД. CXMT пока не назвала ёмкость, скорость, техпроцесс и дату начала массовых поставок. Таким образом, речь идёт о запланированном представлении продукта, а не о подтверждённом запуске серийного производства.
Источник: bjnews.com.cn