Nagare Labs получила $5 млн на разработку многослойной памяти Z2RAM

Стартап Nagare Labs завершил первый посевной раунд и располагает $5 млн на разработку Z2RAM — памяти на оксидных полупроводниках для интеграции с вычислительными кристаллами. Разработчики обещают скорость, близкую к SRAM, более чем пятикратное преимущество по плотности и многослойное производство по принципам NAND, однако пока существуют только лабораторные прототипы.

Стартап Nagare Labs разрабатывает память Z2RAM, которая должна сочетать пропускную способность, близкую к SRAM, плотность на уровне DRAM и возможность вертикального наращивания слоёв, характерную для NAND. Компанию основали профессора и исследователи Технологического института Джорджии Суман Датта и Шимэн Ю, сообщает The Register.

Ячейка Z2RAM состоит из двух транзисторов и хранит заряд с помощью ёмкости затвора второго транзистора. Разработчики рассчитывают интегрировать такую память непосредственно с вычислительной логикой посредством трёхмерного гибридного соединения кристаллов. В первом поколении заявлена более чем пятикратная разница в плотности по сравнению с SRAM: участок, вмещающий 64 Мбайт SRAM, теоретически сможет содержать 320 Мбайт Z2RAM при сопоставимой пропускной способности.

После первого посевного раунда Nagare Labs располагает $5 млн. Разработку поддерживает венчурный фонд Playground Global, партнёром которого является бывший генеральный директор Intel Патрик Гелсингер.

Компания ищет производственного партнёра для переноса технологии из университетской лаборатории на опытную линию. Работоспособные образцы планируется получить в течение четырёх лет, а серийные поставки начать в пределах десяти лет. Среди нерешённых проблем — отсутствие стандартного интерфейса для подключения такой памяти к ускорителям и обеспечение стабильности ячеек на основе оксидных полупроводников.