В Японии синтезировали 1-нм нанотрубки MoS₂ для сверхмалых транзисторов

Исследователи из Японии получили однослойные полупроводниковые нанотрубки из дисульфида молибдена диаметром около 1 нм, выращивая их внутри нанотрубок из нитрида бора. Коаксиальная структура полупроводник/изолятор интересна как модель канала для GAA-транзисторов, но до рабочих устройств еще предстоит решить задачи масштабирования.

Группа исследователей из Японии синтезировала однослойные нанотрубки из дисульфида молибдена (MoS₂) с диаметром вплоть до примерно 1 нм. О работе сообщил Токийский университет; статья опубликована в журнале Science 4 июня 2026 года.

MoS₂ выращивали внутри нанотрубок из нитрида бора (BNNT). Внешняя BNNT-оболочка ограничивала рост и одновременно образовывала изолирующий слой вокруг полупроводниковой трубки. Такая коаксиальная структура напоминает канал транзистора с затвором, охватывающим канал со всех сторон (gate-all-around, GAA), хотя сами транзисторы в этой работе не демонстрировались.

По данным авторов, электронная микроскопия и спектроскопия подтвердили формирование атомарно упорядоченных трубок; измеренная зависимость ширины запрещенной зоны от диаметра совпала с теоретическими предсказаниями, сделанными более 25 лет назад. Работа показывает способ получать неорганические полупроводниковые нанотрубки с контролируемой структурой.

Практическое применение пока остается отдаленной задачей. Исследователям нужно увеличить длину структур: сейчас она ограничена несколькими сотнями нанометров, тогда как целевой ориентир — около 1 мкм. Авторы также считают, что метод можно распространить на другие неорганические нанотрубки, включая магнитные и сверхпроводящие материалы.