Перспективные направления электроники в виде беспилотного транспорта, носимых устройств, ИИ и ряд других областей требуют передовой элементной базы, включая энергонезависимую память нового поколения. Новая «флеш-память» должна быть экономичнее, быстрее и выдерживать больше циклов перезаписи, чтобы заменить собой в процессорах память SRAM. Такой памятью может стать резистивная ReRAM. И у России теперь есть своя технология производства ReRAM.
О разработке энергонезависимой памяти нового поколения сообщила компания «Крокус Наноэлектроника», которую финансово поддерживает «Роснано». «Первые образцы имеют объем памяти 1 Мбит и в краткосрочной перспективе могут быть масштабированы вплоть до 128 Мбит. Выпущенные чипы демонстрируют энергопотребление при операциях чтения и записи на уровне передовых мировых технологий энергонезависимой памяти», ― отметили в пресс-службе.
Ёмкость 1 Мбит может показаться небольшой, но следует напомнить, что компания Panasonic, например, в этом году приступила к производству контроллеров с блоком ReRAM объёмом 256 Кбайт. На этом фоне выпущенные на мощностях Крокус Наноэлектроника образцы выглядят вполне достойно, тем более что больше никто в мире память ReRAM серийно не выпускает. Фактически российские разработчики и производители оказались в первых рядах на новом участке технологического фронта, с чем их можно только поздравить.
Резистивная память активно разрабатывается около 15 лет всеми производителями памяти и не только. Ячейка такой памяти представляет собой заключённый между двумя контактами слой диэлектрика, который обратимо насыщается ионами. Это довольно точно регулируемый процесс, что позволяет записывать в каждую ячейку многоуровневое значение. Плотность памяти ReRAM со временем многократно превысит плотность NAND-флеш.
К этому также стоит добавить высочайшую устойчивость к износу с миллионами циклов перезаписи, низкую латентность и в десятки раз более низкое потребление в режимах записи, не говоря уже об энергонезависимости. Наконец, память ReRAM устойчива к радиации, высокой температуре и прекрасно масштабируется при производстве.
Массовый выпуск чипов с памятью ReRAM компания Крокус Наноэлектроника планирует начать в следующем году. «Первым продуктом с новой микросхемой памяти, который планируется к выпуску, является чип радиочастотной идентификации (технология UHF RFID), использующийся, в частности, для маркировки товаров при складском учете». Но главной целью станет «интеграция российских чипов памяти в инновационные продукты наиболее перспективных областей микроэлектроники: Интернет вещей, системы искусственного интеллекта, промышленную автоматизацию, портативную и медицинскую техники», в чём компании помогут «дальнейшие работы в сотрудничестве с российскими и зарубежными партнёрами».
Ячейка ReRAM компании Weebit Nano
К сожалению, пока не раскрыты подробности о характеристиках российских чипов ReRAM: техпроцесс, латентность, производительность или число циклов перезаписи. Впрочем, сравнивать пока особенно не с чем. Интересное на этом направлении обещает появиться ближе к концу текущего года. Ожидается, что массовый выпуск ReRAM начнёт компания Samsung, в основе производства которой будет технология компании Weebit Nano.
