Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в отрасли чипов оперативной памяти LPDDR4X второго поколения, изготавливающихся по технологии 10-нанометрового класса.
Изделия LPDDR4X-4266, рассчитанные на мобильные устройства, потребляют приблизительно на 10 % меньше энергии по сравнению с аналогичными решениями первого поколения. Это позволит несколько продлить время автономной работы смартфонов.
На основе четырёх чипов LPDDR4X ёмкостью 16 Гбит каждый может быть сформирован модуль объёмом 8 Гбайт. Причём его толщина будет на 20 % меньше по сравнению с модулем на основе чипов первого поколения. Это обеспечит экономию пространства внутри корпуса мобильных устройств.
Новые изделия LPDDR4X будут доступны в вариантах ёмкостью не только 8 Гбайт, но также 6 Гбайт и 4 Гбайт.
Память найдёт применение во флагманских смартфонах и фаблетах следующего поколения. Выход таких устройств ожидается в конце текущего или начале 2019 года. По всей видимости, новые модули LPDDR4X будут задействованы в аппаратах семейства Galaxy S10.
