Лаборатория Intel совместно с Исследовательским институтом промышленных технологий Тайваня (ITRI) заявили о создании массива памяти с низким энергопотреблением. Новинка, как утверждается, поможет ощутимо увеличить время автономной работы устройств. Об этом партнёры рассказали в ходе мероприятия Intel Asia Innovation Summit, которое в среду стартовало на Тайване и объединило около 300 участников из Китая, Индии, Южной Кореи, Японии, Малайзии, Сингапура, Тайваня, Соединенных Штатов и Вьетнама.
Прототип новой DRAM отличается в четыре раза более низкими задержками и потребляет в 25 раз меньше электроэнергии по сравнению со стандартной памятью DRAM. Эта технология может использоваться в SoC-платформах для мобильных устройств, а также в больших ЦОД.
К сожалению, информации о новинке пока очень мало. Известно, что Intel Labs сотрудничает с ITRI в области передовых архитектур памяти с 2011 года.
Среди интересных разработок в области новых типов памяти можно отметить исследование Государственного университета Северной Каролины (North Carolina State University). Изобретатели предложили технологию компьютерной памяти, сочетающую достоинства DRAM и Flash. Быстродействие таких чипов, по утверждению разработчиков, достигнет уровня современных микросхем DRAM, а емкость будет сопоставима с NAND Flash. При этом универсальные модули не должны подвергаться сильному износу, характерному для флеш-памяти, а также будут отличаться существенно сниженным напряжением питания.
