Компания Samsung объявила о начале массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 DRAM ёмкостью 4 Гбит. Это, как утверждается, наиболее передовые изделия в своём классе.
Samsung отмечает, что внедрение более «тонких» технологий изготовления памяти DRAM требует больших усилий, нежели в случае с производством флеш-памяти NAND. Дело в том, что каждая ячейка DRAM содержит транзистор и конденсатор, в то время как в случае с NAND конденсатор не требуется.
Новые чипы DRAM ёмкостью 4 Гбит выпускаются с применением иммерсионной литографии. При этом Samsung подчёркивает, что компании пришлось усовершенствовать методику двойного формирования рисунка. В результате стало возможным массовое производство 20-нанометровых микрочипов DDR3 на существующем фотолитографическом оборудовании.
Внедрение 20-нанометровой технологии позволит увеличить объёмы выпуска конечной продукции практически на треть по сравнению с 25-нанометровым техпроцессом. При этом энергопотребление модулей памяти сокращается на четверть.
Достижение Samsung открывает дорогу для перехода на технологию 10-нанометрового класса. Предполагается, что новая память найдёт применение в широком спектре компьютерных устройств.
По оценкам Gartner, мировой рынок DRAM-памяти вырастет с $35,6 млрд в прошлом году до $37,9 млрд в нынешнем.
