Корпорация Toshiba на выставке Nanotech 2013 рассказала о достижениях в разработке флеш-памяти NAND.
Компания продемонстрировала 300-миллиметровую пластину с микрочипами NAND объёмом 128 Гбит, изготовленными по 19-нанометровой технологии. В каждой ячейке этих изделий хранится три бита информации.
Toshiba отмечает, что для минимизации взаимного влияния ячеек друг на друга была использована методика плавающих затворов с воздушными зазорами. В результате удалось добиться надёжности работы, характерной для 24-нанометровых изделий.
По сравнению с флеш-памятью NAND, в ячейках которой хранится два бита данных, новые чипы обладают приблизительно в десять раз меньшим количеством циклов перезаписи. Это ограничивает область применения микрочипов флеш-брелоками, картами памяти и т. п.
19-нанометровая технология считается сейчас самой передовой при массовом производстве флеш-памяти.
Подготовлено по материалам Tech-On!.
