Logo Море(!) аналитической информации!
IT-консалтинг Software Engineering Программирование СУБД Безопасность Internet Сети Операционные системы Hardware
VPS в 21 локации

От 104 рублей в месяц

Безлимитный трафик. Защита от ДДоС.

🔥 VPS до 5.7 ГГц под любые задачи с AntiDDoS в 7 локациях

💸 Гифткод CITFORUM (250р на баланс) и попробуйте уже сейчас!

🛒 Скидка 15% на первый платеж (в течение 24ч)

Скидка до 20% на услуги дата-центра. Аренда серверной стойки. Colocation от 1U!

Миграция в облако #SotelCloud. Виртуальный сервер в облаке. Выбрать конфигурацию на сайте!

Виртуальная АТС для вашего бизнеса. Приветственные бонусы для новых клиентов!

Виртуальные VPS серверы в РФ и ЕС

Dedicated серверы в РФ и ЕС

По промокоду CITFORUM скидка 30% на заказ VPS\VDS

Разработаны трёхмерные ячейки памяти ReRAM большой ёмкости

Новая методика создания ячеек трёхмерной энергонезависимой ReRAM-памяти (резистивная память с произвольной выборкой), представленная компанией Samsung Electronics (Южная Корея), позволяет использовать токи слабее 1 мкА для перезаписи информации, а также обеспечивает получение рабочего материала с высокой нелинейностью вольт-амперных характеристик.

Всё это позволяет избежать паразитных токов, способных изменять состояние соседних ячеек. Кроме того, по словам разработчика, новые 3D ReRAM-ячейки способны выдерживать до 107 циклов перезаписи.

Компания Samsung ввязалась в разработку трёхмерной реализации памяти ReRAM (или VRRAM — вертикальной ReRAM) для того, чтобы наконец-то найти замену безнадёжной NAND-памяти. В общем и целом технология VRRAM позволяет получать уложенные друг на друга слои ячеек ReRAM-памяти в одном непрерывном процессе, что, помимо увеличения ёмкости самой памяти, позволяет снизить стоимость её производства. Однако одним из основных условий безошибочного функционирования VRRAM-памяти является возможность использования максимально низких токов перезаписи информации. Наличие у материала нелинейных вольт-амперных характеристик позволяет достичь дополнительного увеличения плотности памяти посредством связывания нескольких соседних ячеек.

В данном случае, для того чтобы получить нужный результат, учёные из Samsung определили допустимый диапазон плотности кислородных вакансий, точное выдерживание которого принесло желаемые вольт-амперные характеристики рабочего материала. Кроме того, между электродом и плёнкой оксида переходного металла (материала ячейки памяти) был добавлен дополнительный туннельно-оксидный слой (слой оксида, обеспечивающий туннелирование электронов).

В результате удалось добиться предельно малого тока перезаписи информации (1 мкА), а также желаемой нелинейности вольт-амперных характеристик материала.

Подготовлено по материалам Tech-On!.

Компьюлента

VPS/VDS серверы. 30 локаций на выбор

Серверы VPS/VDS с большим диском

Хорошие условия для реселлеров

4VPS.SU - VPS в 17-ти странах

2Gbit/s безлимит

Современное железо!

Бесплатный конструктор сайтов и Landing Page

Хостинг с DDoS защитой от 2.5$ + Бесплатный SSL и Домен

SSD VPS в Нидерландах под различные задачи от 2.6$

✅ Дешевый VPS-хостинг на AMD EPYC: 1vCore, 3GB DDR4, 15GB NVMe всего за €3,50!

🔥 Anti-DDoS защита 12 Тбит/с!

Новости мира IT:

Архив новостей

IT-консалтинг Software Engineering Программирование СУБД Безопасность Internet Сети Операционные системы Hardware

Информация для рекламодателей PR-акции, размещение рекламы — adv@citforum.ru,
тел. +7 495 7861149
Пресс-релизы — pr@citforum.ru
Обратная связь
Информация для авторов
Rambler's Top100 TopList liveinternet.ru: показано число просмотров за 24 часа, посетителей за 24 часа и за сегодня This Web server launched on February 24, 1997
Copyright © 1997-2000 CIT, © 2001-2019 CIT Forum
Внимание! Любой из материалов, опубликованных на этом сервере, не может быть воспроизведен в какой бы то ни было форме и какими бы то ни было средствами без письменного разрешения владельцев авторских прав. Подробнее...