Разработана самовосстанавливающаяся флеш-память

Исследователи из тайваньской компании Macronix предложили способ многократного увеличения долговечности флеш-памяти.

Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («кармане») полупроводниковой структуры. Однако этот процесс сопряжён с накоплением необратимых изменений в структуре, а потому количество записей для ячейки флеш-памяти ограничено (обычно около 10 тыс. раз для MLC-устройств).

Одна из причин деградации — невозможность индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. Другая причина — взаимная диффузия атомов изолирующих и проводящих областей полупроводниковой структуры, ускоренная градиентом электрического поля в области «кармана» и периодическими электрическими пробоями изолятора при записи и стирании. Это приводит к размыванию границ и ухудшению качества изолятора.

Macronix предлагает увеличить срок службы флеш-памяти за счёт применения технологии термического отжига (Thermal Annealing). Специальный нагревательный элемент на непродолжительное время (миллисекунды) повышает температуру ячеек до 800 ˚C с лишним. Это приводит к самовосстановлению структуры памяти и увеличению срока её эксплуатации.

По заявлениям Macronix, технология позволяет довести количество циклов перезаписи флеш-чипов до 100 миллионов и более, что в тысячи раз больше, чем у стандартных изделий.

О результатах работы Macronix расскажет 11 декабря на конференции IEDM 2012 в Сан-Франциско (Калифорния, США).

Подготовлено по материалам IEEE Spectrum