Исследователи из Университета Гранады (Испания) вместе со специалистами лаборатории CEA-LETI в Гренобле (Франция) объявили о разработке инновационной технологии изготовления оперативной памяти.
Предложенная методика получила название Advanced Random Access Memory, или A-RAM. Предполагается, что со временем память этого типа придёт на смену широко распространённой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM).
Конструкция ячеек DRAM предусматривает использование одного конденсатора и одного транзистора (в некоторых вариациях конденсаторов два). Однако по мере миниатюризации микросхем (современные изделия производятся по нормам менее 20 нанометров) уменьшать размер конденсаторов становится всё сложнее.
В ячейках памяти A-RAM конденсатор не применяется вовсе, что позволяет решить проблему внедрения более «тонких» техпроцессов. Кроме того, A-RAM обеспечивает высокую энергетическую эффективность, большие скорости передачи данных и открывает путь для дальнейшего наращивания ёмкости конечных изделий.
Теоретическая модель A-RAM была предложена в 2009 году. Теперь исследователи смогли доказать возможность её практической реализации.
Технология A-RAM защищена десятью международными патентами. Интерес к ней уже проявили производители компьютерной памяти, включая Samsung, Hynix и Micron.
Подготовлено по материалам Университета Гранады.
