11 сентября в Сан-Франциско (Калифорния, США) открывается очередной форум для разработчиков IDF, на котором Intel расскажет о новейших продуктах.
Ожидается, что одной из основных тем мероприятия станут процессоры следующего поколения с кодовым именем Haswell. Чипы будут производиться по 22-нанометровой технологии с применением методики Tri-Gate (транзисторы с объёмной структурой). Они получат усовершенствованный графический контроллер с поддержкой программного интерфейса DirectX 11 и контроллер памяти DDR3. Упоминаются технологии Hyper-Threading и Turbo Boost, интерфейс PCI Express 3.0 и набор инструкций AVX 2.0 (Advanced Vector Extension), предусматривающий векторные вычисления с плавающей запятой.
При разработке Haswell большое внимание уделено снижению энергопотребления. Показатель TDP (максимальное значение рассеиваемой тепловой энергии) двухъядерных изделий для ультрабуков составит 10–15 Вт. Haswell-чипы для настольных компьютеров и традиционных ноутбуков будут доступны в версиях с двумя и четырьмя вычислительными ядрами. Величина TDP десктоп-изделий составит 35, 45, 65 или 95 Вт; решений для лэптопов — 37, 47 или 57 Вт.
Партнёры Intel начнут получать образцы процессоров Haswell в четвёртом квартале. Первые компьютеры на их основе поступят в продажу в 2013 году.
Подготовлено по материалам Phys.Org.
