Компания Micron первой в отрасли освоила массовый выпуск микрочипов памяти с изменяемым фазовым состоянием (Phase Change Memory, PCM) для мобильных устройств.
PCM-память рассматривается в качестве альтернативы флеш-накопителям. Принцип работы чипов РСМ основан на свойстве материала носителя (халькогенида) находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, а в другой — кристаллический проводник. Изменение фазового состояния сопровождается переключением между логическим нулём и единицей.
По сравнению с флеш-накопителями память PCM обеспечивает многократный прирост производительности и более высокую долговечность. При этом новая память является энергонезависимой и обладает небольшим энергопотреблением в рабочем режиме.
В изделиях Micron объединены микросхемы PCM ёмкостью 1 Гбит и LPDDR2 на 512 Мбит. Производственные нормы — 45 нм. Ожидается, что память найдёт применение прежде всего в планшетных компьютерах, смартфонах и мобильных телефонах.
Подготовлено по материалам Micron.
