Logo Море(!) аналитической информации!
IT-консалтинг Software Engineering Программирование СУБД Безопасность Internet Сети Операционные системы Hardware
VPS в 21 локации

От 104 рублей в месяц

Безлимитный трафик. Защита от ДДоС.

🔥 VPS до 5.7 ГГц под любые задачи с AntiDDoS в 7 локациях

💸 Гифткод CITFORUM (250р на баланс) и попробуйте уже сейчас!

🛒 Скидка 15% на первый платеж (в течение 24ч)

Скидка до 20% на услуги дата-центра. Аренда серверной стойки. Colocation от 1U!

Миграция в облако #SotelCloud. Виртуальный сервер в облаке. Выбрать конфигурацию на сайте!

Виртуальная АТС для вашего бизнеса. Приветственные бонусы для новых клиентов!

Виртуальные VPS серверы в РФ и ЕС

Dedicated серверы в РФ и ЕС

По промокоду CITFORUM скидка 30% на заказ VPS\VDS

Intel и Samsung хорошо продвинулись в разработке встраиваемой MRAM

Магниторезистивная память MRAM активно разрабатывается с 90-х годов прошлого столетия. Она даже выпускается в некоторых коммерческих объёмах, но низкая плотность записи всё ещё не позволяет говорить о производстве твердотельных накопителей на MRAM. Максимум на что способны разработчики — это использовать MRAM в качестве энергонезависимого буфера в SSD или в виде безумно дорого накопителя для ведения журналов транзакций. Дело может поправить перевод производства MRAM на техпроцессы с меньшими технологическими нормами производства или использование MRAM в виде встраиваемой памяти в контроллерах и процессорах. В частности, этому может помочь распространение вещей с подключением у Интернету.

На конференции International Electron Devices Meeting (IEDM 2018) о прогрессе в деле производства встраиваемой MRAM, точнее — STT-MRAM, как более прогрессивной версии магниторезистивной памяти на основе переноса спинового момента электрона — сообщили сразу две компании. О прогрессе заявила компания Intel, а также Samsung. Скажем сразу, заявка Intel выглядит интереснее. Микропроцессорный гигант разработал первый в индустрии техпроцесс выпуска встраиваемой STT-MRAM с использованием вертикальных транзисторов FinFET с нормами 22 нм (22FFL). Что касается Samsung, то она научилась выпускать встраиваемую STT-MRAM на пластинах FD-SOI с использованием 28-нм техпроцесса.

Разработка Intel интересна также по той причине, что компания смогла сделать туннельный магнитный переход — фактически ячейку STT-MRAM — между вторым и четвёртым слоем металлических контактов, а не на кристалле, как это обычно заведено. Это даёт надежду на дальнейшее масштабирование и на увеличение плотности записи. В то же время пока компания Samsung создала ячейку STT-MRAM чуть меньшей площади, чем Intel. Площадь ячейки Samsung составляет 0,0364 мкм2, а Intel — 0,0486 мкм2. По словам представителя Samsung, новые технологии производства дают надежду на скорое появление коммерческих продуктов с STT-MRAM.

Добавим, каждая из компании сообщает об устойчивости к износу встраиваемой ST-MRAM в представленных техпроцессах на уровне 10 млн циклов перезаписи. Отдельно компания Intel говорит о способности ячеек удерживать данные без потерь в течение 10 лет при рабочей температуре 200 градусов по Цельсию. Для вещей с подключением в окружении с перепадами рабочих температур это хорошее качество, хотя для промышленного применения и для транспорта Samsung хотела бы представить более устойчивую к износу память MRAM.

3DNews

VPS/VDS серверы. 30 локаций на выбор

Серверы VPS/VDS с большим диском

Хорошие условия для реселлеров

4VPS.SU - VPS в 17-ти странах

2Gbit/s безлимит

Современное железо!

Бесплатный конструктор сайтов и Landing Page

Хостинг с DDoS защитой от 2.5$ + Бесплатный SSL и Домен

SSD VPS в Нидерландах под различные задачи от 2.6$

✅ Дешевый VPS-хостинг на AMD EPYC: 1vCore, 3GB DDR4, 15GB NVMe всего за €3,50!

🔥 Anti-DDoS защита 12 Тбит/с!

Новости мира IT:

Архив новостей

IT-консалтинг Software Engineering Программирование СУБД Безопасность Internet Сети Операционные системы Hardware

Информация для рекламодателей PR-акции, размещение рекламы — adv@citforum.ru,
тел. +7 495 7861149
Пресс-релизы — pr@citforum.ru
Обратная связь
Информация для авторов
Rambler's Top100 TopList liveinternet.ru: показано число просмотров за 24 часа, посетителей за 24 часа и за сегодня This Web server launched on February 24, 1997
Copyright © 1997-2000 CIT, © 2001-2019 CIT Forum
Внимание! Любой из материалов, опубликованных на этом сервере, не может быть воспроизведен в какой бы то ни было форме и какими бы то ни было средствами без письменного разрешения владельцев авторских прав. Подробнее...