Logo Море(!) аналитической информации!
IT-консалтинг Software Engineering Программирование СУБД Безопасность Internet Сети Операционные системы Hardware
Скидка до 20% на услуги дата-центра. Аренда серверной стойки. Colocation от 1U!

Миграция в облако #SotelCloud. Виртуальный сервер в облаке. Выбрать конфигурацию на сайте!

Виртуальная АТС для вашего бизнеса. Приветственные бонусы для новых клиентов!

Виртуальные VPS серверы в РФ и ЕС

Dedicated серверы в РФ и ЕС

По промокоду CITFORUM скидка 30% на заказ VPS\VDS

VPS/VDS серверы. 30 локаций на выбор

Серверы VPS/VDS с большим диском

Хорошие условия для реселлеров

4VPS.SU - VPS в 17-ти странах

2Gbit/s безлимит

Современное железо!

Samsung придумал способ двукратного увеличения времени работы смартфонов

Исследователи из Samsung Electronic при участии южнокорейских коллег разработали анод для литиево-ионных батарей, позволяющий почти вдвое повысить емкость элемента питания. Работа была опубликована в журнале Nature Communications. Компания Samsung в настоящее время патентует разработку.

Электрический аккумулятор состоит из электродов (катода и анода) и электролита. В современных литиево-ионных аккумуляторах используют анод из графита. Этот материал зарекомендовал себя благодаря относительно высокой плотности заряда и долговечности. Однако развитие микроэлектронной промышленности ведет к повышению требований к источникам питания. Исследователи экспериментируют с новыми материалами для батареи. Весьма перспективным сырьем для катода считается кремний — тот же материал, который используется в микрочипах.

Кремний позволяет достичь 10-кратного увеличения плотности электрического заряда по сравнению с анодами из графита. Однако есть и обратная сторона — во время заряда батареи такой анод расширяется, в во время разряда — сужается. В результате он растрескивается и быстро выходит из строя. Компания Samsung придумала способ защиты от этого эффекта, что позволяет достичь приемлемого эксплуатационного срока.

Суть изобретения заключается в применении графена — перспективного материала, представляющего собой двухмерную решетку из атомов углерода. Samsung предложила оборачивать фрагментами графена наночастицы кремния в аноде по принципу расположения листьев в кочане капусты. При расширении наночастиц в процессе заряда батареи фрагменты графена будут раздвигаться, но по-прежнему закрывать кремний.

Инженеры также придумали способ нанесения графена на наночастицы кремния без образования его карбида — диэлектрика, снижающего эксплуатационные характеристики источника питания.


Фрагменты графена накрывают наночастицу кремния, подобно листьям капусты в кочане

По словам авторов работы, полученная батарея с кремниевым анодом обладает в 1,8 раза более высокой плотностью электрического заряда при первом цикле зарядки и в 1,5 раза при 200 цикле перезарядки.

CNews.ru: интернет-издание о высоких технологиях

Бесплатный конструктор сайтов и Landing Page

Хостинг с DDoS защитой от 2.5$ + Бесплатный SSL и Домен

SSD VPS в Нидерландах под различные задачи от 2.6$

✅ Дешевый VPS-хостинг на AMD EPYC: 1vCore, 3GB DDR4, 15GB NVMe всего за €3,50!

🔥 Anti-DDoS защита 12 Тбит/с!

VPS в 21 локации

От 104 рублей в месяц

Безлимитный трафик. Защита от ДДоС.

🔥 VPS до 5.7 ГГц под любые задачи с AntiDDoS в 7 локациях

💸 Гифткод CITFORUM (250р на баланс) и попробуйте уже сейчас!

🛒 Скидка 15% на первый платеж (в течение 24ч)

Новости мира IT:

Архив новостей

IT-консалтинг Software Engineering Программирование СУБД Безопасность Internet Сети Операционные системы Hardware

Информация для рекламодателей PR-акции, размещение рекламы — adv@citforum.ru,
тел. +7 495 7861149
Пресс-релизы — pr@citforum.ru
Обратная связь
Информация для авторов
Rambler's Top100 TopList liveinternet.ru: показано число просмотров за 24 часа, посетителей за 24 часа и за сегодня This Web server launched on February 24, 1997
Copyright © 1997-2000 CIT, © 2001-2019 CIT Forum
Внимание! Любой из материалов, опубликованных на этом сервере, не может быть воспроизведен в какой бы то ни было форме и какими бы то ни было средствами без письменного разрешения владельцев авторских прав. Подробнее...