Компания Samsung объявила о начале массового производства микрочипов флеш-памяти NAND ёмкостью 128 гигабит (Гбит), которые лягут в основу встраиваемых модулей хранения данных и твердотельных дисков.
Изделия нового поколения выполнены по методике многоуровневых ячеек 3bit Multi-Level-Cell (MLC) и производятся по технологии «10-нанометрового класса».
Чипы используют интерфейс Toggle DDR2, который обеспечивает пропускную способность до 400 Мбит/с. Это в 10 раз больше по сравнению с памятью Single Data Rate (SDR) NAND (40 Мбит/с) и примерно втрое выше, чем у микросхем, использующих интерфейс Toggle DDR1 (133 Мбит/с).
Ожидается, что NAND-чипы ёмкостью 128 Гбит будут применяться в твердотельных дисках вместимостью более 500 Гб и картах памяти на 128 Гб.
Отрасль флеш-памяти NAND, на протяжении пяти кварталов подряд демонстрировавшая сокращение продаж, в последней четверти 2012-го показала рост на 17%. Объём рынка в денежном выражении достиг $5,6 млрд против $4,8 млрд в третьем квартале. Годовая выручка производителей NAND-памяти достигла $20,2 млрд.
Подготовлено по материалам Samsung.
